رسوب الکتریکی و بررسی خواص لایه نازک polyaniline -bi-se-te-sb

محاسبه‌ی گرادیان‌های میدان الکتریکی در ترکیبات X=Bi, Sb))UX2

در این مقاله خواص الکترونی ترکیبات پاد­فرومغناطیس X=Bi, Sb))UX2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایه­ی نظریه‌ی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود­یافته به­علاوه‌ی اربیتال­های موضعی APW+lo)) بررسی کرده­ایم. برای محاسبه‌ی جمله پتانسیل تبادلی- همبستگی از تقریب­های LDA، GGA، LDA+U، GGA+U و هم‌چنین روش انرژی تبادلی دقیق الکترون­های همبسته (EECE) استفاده کرده­ایم. گرادیان­های میدان الکتریکی...

طرّاحی و ساخت ترموپیل لایه نازک Bi-Cu وBi-Sb به روش چندلایه‌ای برای آشکارسازی پرتوهای حرارتی فروسرخ

ترموپیل‌های لایه نازک برای ساخت انواع حسگر‌های بسیار کوچک، به ویژه برای آشکارسازی پرتوهای حرارتی فروسرخ (IR ) کاربرد فراوان دارند. در این  مقاله نحوة طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Cu به صورت  خطّی و به روش تک لایه با 8  و 11 اتّصال سری، همچنین طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Sb  و Bi-Cu  دایره‌ای شکل به روش چند لایه‌ای با 100 اتصال سری به عنوان آشکارساز فروسرخ عرضه شده است. در این م...

Surface-dominated transport and enhanced thermoelectric figure of merit in topological insulator Bi(1.5)Sb(0.5)Te(1.7)Se(1.3).

We report the observation of an order of magnitude enhancement of the thermoelectric figure of merit (ZT = 0.36) in topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3 nanowires at 300 K as compared with the bulk specimen (ZT = 0.028). The enhancement was primarily due to an order of magnitude increase in the electrical conductivity of the surface-dominated transport and thermally activated charge carri...

تهیه لایه نازک CuInSe2 و مطالعه خواص الکتریکی و نوری آن

Band structure engineering in (Bi(1-x)Sb(x))(2)Te(3) ternary topological insulators.

Topological insulators (TIs) are quantum materials with insulating bulk and topologically protected metallic surfaces with Dirac-like band structure. The most challenging problem faced by current investigations of these materials is to establish the existence of significant bulk conduction. Here we show how the band structure of topological insulators can be engineered by molecular beam epitaxy...

بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک zno

در این مقاله لایه نازک zno به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚c 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚c 500 پخت شده اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر krf ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1hz و انرژی 90mj/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت ...